在美國出口管制影響中芯國際增加產能的背景下，臺積電、聯電等芯片代工大廠不約而同地瞄準中國大陸龐大的內需市場，準備在大陸擴產以增加份額。

　　據臺灣《經濟日報》11月23日報道，全球晶圓代工產能緊缺在“美國制裁中芯”后進一步發酵，28nm成熟制程產能持續滿載。為滿足客戶需求，臺積電、三星和聯電均啟動大陸工廠28nm新產能布局。

　　對于相關消息，臺積電發言人稱，南京廠已按計劃將12英寸月產能由1.5萬片增加至2萬片；聯電則表示，規劃擴充臺南12英寸廠28/22nm產能，廈門聯芯28nm產能吃緊后，預計明年中旬完成擴產。

　　臺灣經濟日報報道截圖

　　近些年來，全球主要晶圓代工廠以加碼先進制程為主，但新冠疫情帶來的的居家辦公、在線教育等需求，讓采用成熟制程的電源管理芯片、顯示面板驅動芯片等訂單激增，也讓這方面的產能持續趨緊。

　　雪上加霜的是，美國突然加強出口管制，讓中芯國際正在擴產的14/28nm“受挫”，進一步加劇了全球產能緊張。

　　10天前（11月12日），中芯國際聯席CEO趙海軍在業績說明會上透露，業界在建設工廠時，基本沿襲美國設備的選型。因此，美國加強出口管制對該公司8寸、12寸成熟工藝和先進工藝都將造成影響。

　　該公司聯合CEO梁孟松表示，正積極與美國供應商積極溝通部分美國設備、原料的許可證。

　　在這種情況下，高通等廠商被傳出想從中芯國際轉單“避險”，但加價也未能找到后者的“替代產能”。

　　由于產能緊張、市場龐大，臺積電、聯電、三星紛紛開始動起擴產、漲價的念頭。

　　根據中國半導體行業協會設計分會統計，2019年中國集成電路設計行業銷售總值超過3000億元。截至當年11月底，全國共有1780家設計企業，較去年同期增長4.8%。

　　而本次臺積電擴產的南京廠，是該公司目前在臺灣島外唯一的12英寸晶圓廠。

　　臺積電南京廠是其唯一在臺灣島外的12英寸晶圓廠  圖片來源：臺積電官網

　　2015年，在臺積電16nm FinFET強效版制程量產當年，該公司宣布決定到南京建廠，從動土到進機僅用時14個月，被其稱為“建廠最快、上線最快、環境最美的廠區”。

　　業界普遍認為，臺積電在南京布局16nm產線，目的就是同中芯國際的14nm競爭。

　　根據臺積電2019年財報，南京廠期內營收約為42億元人民幣，凈利潤約為3億元人民幣。

　　相比來看，中芯國際2019年營收為204.7億元人民幣，凈利潤為15.4億元人民幣。

　　值得一提的是，臺積電南京廠擴產之際，該公司也在推進在美國建廠的進度。

　　今年5月15日，在美國政府宣布對華為新一輪制裁的當天，臺積電宣布有意在美國亞利桑那州興建一座12英寸先進晶圓廠，采用該公司的5nm制程技術生產半導體芯片，規劃月產能為2萬片晶圓。

　　而美國聯邦政府及亞利桑那州政府的補助，是臺積電去美國設廠的關鍵。

　　臺媒報道截圖

　　當地時間11月18日，亞利桑那州鳳凰城（Phoenix）市議會通過臺積電開發協議。

　　根據協議內容，鳳凰城將由市政府資金撥款2.05億美元，用于改善道路及水源等基礎建設，但關鍵的美國聯邦政府及亞利桑那州政府的補助金額則尚未披露任何消息。

　　11月11日，臺積電董事會已批準，將在亞利桑那州設立資本額35億美元的全資子公司，未來5年創造1900個全職工作機會，新廠2021年初動工，預計2024年開始生產。

　　部分設備業者預期，臺積電美國5nm晶圓廠2024年量產后，除了為美國政府機構生產所需特殊應用芯片（ASIC），也能就近為蘋果、英特爾、AMD、高通、英偉達等美國大客戶生產晶圓。

　　根據臺積電財報，2020年第三季度，該公司來自北美地區的營收占比為59%，來自中國市場的營收持續提升，為22%。

　　臺積電財報截圖

　　今年6月，臺積電董事長劉德音在股東會上表示，近來國際大國間貿易關系緊張，為該公司帶來業務上的諸多挑戰。他們能做的就是持續找尋解決方案，應對新的國際形勢。(文/呂棟 編輯/尹哲)

　　三星電子奮力趕超臺積電 計劃2022年量產3納米芯片

據韓國媒體《Infostock Daily》11月18日引述消息人士報道，三星電子已決定在美國建立完全采用EUV（極紫外光）生產設備的LSI（Large－scale integrated circuit，大規模集成電路）工廠。

　　11月19日消息，據國外媒體報道，三星電子正在奮力趕超臺積電，計劃在2022年量產3納米芯片。

據《Infostock Daily》消息，三星擬投資100億美元，在美國德克薩斯州奧斯汀市建立一座12吋晶圓新廠——這是三星在美國的第二座生產基地，產能為70K。臺灣聯合新聞網文章引述業界解讀稱，三星在美國將擴大7nm以下，甚至更先進的3nm先進制程工藝的布局，意在緊追臺積電在美國投資腳步。

　　韓媒稱，三星這座預計全部采用EUV生產設備的新廠，將是三星在韓國以外第一個使用EUV生產的廠區。這樣做的目的也是加快拉近與臺積電差距。這座工廠啟用后將生產非存儲芯片，以及系統整合芯片（system LSI）。不過，韓國媒體的報道未提及三星將在奧斯汀設立的這座新工廠是否已經通過美國政府的審查或已進入最終階段。

　　根據三星官方信息，今年5月，三星在韓國平澤啟動建設5nm的EUV工廠，而華城廠區則已量產5nm。在韓國本土，三星共計有六大生產基地，在美國，此前僅有在德州設有12吋廠生產65nm乃至14nm制程工藝的產品。

　　三星電子高管Park Jae-hong最近在一次活動中表示，公司已定下目標，在2022年量產3納米芯片。該高管透露，三星電子已在與主要合作方開發初步設計工具。

　　三星電子向其下一代芯片業務投入1160億美元，其中包括為外部客戶制造芯片。

　　三星電子領導人李在镕此前曾透露，該公司計劃采用正在開發的最新3納米全柵極(gate-all-around，簡稱GAA)工藝技術來制造尖端芯片，并提供給全球客戶。

　　三星電子已開始大規模量產5nm芯片，并且正在研發4nm工藝。

　　在芯片代工業務領域，三星電子目前位列第二。排名第一的是臺積電，去年市場占有率達52%。

　　關于臺積電和三星電子之間的競爭，臺積電創始人張忠謀曾表示，三星電子是很厲害的對手，目前臺積電暫時占優勢，但臺積電跟三星的戰爭絕對還沒結束，臺積電還沒有贏。

　　（來源：觀察者網 TechWeb）