央視網(wǎng)消息：由中科院院士、北京大學(xué)教授彭練矛和張志勇教授帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)多年的科研探索，在碳基半導(dǎo)體制備材料研究領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，該科研成果近日發(fā)表在國(guó)際權(quán)威學(xué)術(shù)期刊《科學(xué)》上。

　　彭練矛和張志勇教授帶領(lǐng)科研團(tuán)隊(duì)在四英寸基底上制備出密度高達(dá)每微米120根、半導(dǎo)體純度超過(guò)99.9999%的碳納米管平行陣列，并在此基礎(chǔ)上首次實(shí)現(xiàn)了性能超越同等柵長(zhǎng)硅基CMOS的晶體管和電路，成功突破了長(zhǎng)期以來(lái)阻礙碳納米管電子學(xué)發(fā)展的瓶頸。

　　相比傳統(tǒng)硅基技術(shù)，碳基半導(dǎo)體具有成本更低、功耗更小、效率更高的優(yōu)勢(shì)，因此也被視作是性能更好的半導(dǎo)體材料。與國(guó)外硅基技術(shù)制造出來(lái)的芯片相比，我國(guó)碳基技術(shù)制造出來(lái)的芯片在處理大數(shù)據(jù)時(shí)不僅速度會(huì)更快，而且至少能節(jié)約30%左右的功耗。