央視網(wǎng)消息：由中科院院士、北京大學教授彭練矛和張志勇教授帶領的團隊經(jīng)過多年的科研探索，在碳基半導體制備材料研究領域取得突破性進展，該科研成果近日發(fā)表在國際權威學術期刊《科學》上。

　　彭練矛和張志勇教授帶領科研團隊在四英寸基底上制備出密度高達每微米120根、半導體純度超過99.9999%的碳納米管平行陣列，并在此基礎上首次實現(xiàn)了性能超越同等柵長硅基CMOS的晶體管和電路，成功突破了長期以來阻礙碳納米管電子學發(fā)展的瓶頸。

　　相比傳統(tǒng)硅基技術，碳基半導體具有成本更低、功耗更小、效率更高的優(yōu)勢，因此也被視作是性能更好的半導體材料。與國外硅基技術制造出來的芯片相比，我國碳基技術制造出來的芯片在處理大數(shù)據(jù)時不僅速度會更快，而且至少能節(jié)約30%左右的功耗。